電子部品 : W4NXE4C-LD00

メーカー : Cree

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説明 : Diameter 76.2mm; low micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

温度 : ミン °C | マックス °C

Datasheet : W4NXE4C-LD00 PDF

• W4NXE4C-0D00
• W4NXE4C-LD00
• W4NXE4C-SD00